碳化硅廠家成立多年，除了長(zhǎng)年從事各類碳化硅的生產(chǎn)工作，同時(shí)通過(guò)多年來(lái)與碳化硅的接觸，對(duì)各類碳化硅方面的信息也多少有些了解，可以為用戶詳細(xì)介紹碳化硅，提供更多關(guān)于碳化硅的信息。為了回報(bào)廣大用戶多年來(lái)的支持，也為了能讓更多的人認(rèn)識(shí)了解碳化硅，碳化硅廠家將總結(jié)多年來(lái)的經(jīng)驗(yàn)，簡(jiǎn)單的總結(jié)及介紹一下碳化硅的基本信息。

    其實(shí)，碳化硅是一種典型的共價(jià)鍵結(jié)合的穩(wěn)定化合物。從理論上來(lái)講，碳化硅均由sic四面體堆積而成，所不同的只是平行結(jié)合或反平行結(jié)合。sic有75種變形，如α-SiC、β-SiC、3C-SiC、4H-SiC、15R-SiC等，所有這些結(jié)構(gòu)可分為方晶系、六方晶系和菱形晶系，其中α-SiC、β-SiC較常見(jiàn)。α-SiC是高溫穩(wěn)定型，β-?SiC是低溫穩(wěn)定型。β-SiC在2100-2400攝氏度可轉(zhuǎn)變?yōu)棣?SiC，β-SiC可在1450攝氏度左右溫度下由簡(jiǎn)單的硅和碳混合物制得。

    碳化硅本身很容易氧化，但它氧化之后形成一層二氧化硅薄膜，氧化進(jìn)程逐漸被阻礙。在空氣中，碳化硅于800攝氏度時(shí)就開(kāi)始氧化，但很緩慢，隨著溫度升高，則氧化速度急速加快。碳化硅的氧化速率，在氧氣中比在空氣中快1.6倍；氧化速率的速度隨著時(shí)間推移而減慢。如果以時(shí)間推移對(duì)氧化的數(shù)量描圖，可以得到典型的拋物線圖形。這反映出二氧化硅保護(hù)層對(duì)碳化硅氧化速率的阻礙作用。氧化時(shí)，若同時(shí)存在著能將二氧化硅薄膜移去或使之破裂的物質(zhì)，則碳化硅就易被進(jìn)一步氧化。