碳化硅具有的耐高溫性和導熱性，使它成為隧道窯或梭式窯的優選窯具材料之一，它所具有的導電性使其成為一種重要的電加熱元件等。碳化硅是一種典型的共價鍵結合的穩定化合物。從理論上講，碳化硅均由SiC四面體堆積而成，所不同的只是平行結合或反平行結合。SiC有75種變體,所有這些結構可分為方晶系、六方晶系和菱形晶系。α-SiC是高溫穩定型,β-SiC是低溫穩定型。β-SiC在2100～2400℃可轉變為α-SiC，β-SiC可在1450℃左右溫度下由簡單的硅和碳混合物制得。利用透射電子顯微鏡和X射線衍射檢測技術可對SiC顯微體進行多型體分析和定量測定。為了區別各種不同的結構,需要有相應的命名方法。命名方法常用的是：把低溫類型的立方碳化硅叫做β—SiC，而其余六方的、菱形的晶胞結構一律稱為α—SiC。這種命名方法與相律慣例以及礦物學命名都不相符，但因其很方便，也就頗為流行。